国家知识产权局信息显示，广州增芯科技有限公司申请一项名为“SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构”的专利北京股票配资网，公开号CN121076006A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明提供了一种SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构，该方法通过在第一晶圆的第一衬底表面依次堆叠形成第一SiGe层、多孔硅层、第二SiGe层和顶硅层，其中，多孔硅层由单晶硅层通过多孔化工艺得到，并在第二晶圆的表面形成氧化层后将氧化层键合至顶硅层上，然后将多孔硅层去除并剥离第一SiGe层以及第一衬底，并去除留下的第二SiGe层，从而将第一晶圆上的顶硅层转移到第二晶圆表面的氧化层之上，形成SOI晶圆结构。通过利用多孔硅层作为剥离牺牲层并结合双层SiGe层的应力调控来剥离第一晶圆，能够有效平衡多孔硅层的氧化速率并缓解膨胀应力，实现多孔硅层的可控氧化与无缺陷剥离，并能够有效改善顶硅层的平整度和晶体质量，从而提高了SOI晶圆结构的质量。
天眼查资料显示，广州增芯科技有限公司，成立于2021年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析，广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目43次，财产线索方面有商标信息53条，专利信息157条，此外企业还拥有行政许可180个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯北京股票配资网
富牛配资提示：文章来自网络，不代表本站观点。
热点资讯