
国家知识产权局信息显示,广州增芯科技有限公司申请一项名为“SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构”的专利北京股票配资网,公开号CN121076006A,申请日期为2025年9月。
专利摘要显示,本发明提供了一种SOI晶圆结构的制备方法及SOI晶圆结构,该方法通过在第一晶圆的第一衬底表面依次堆叠形成第一SiGe层、多孔硅层、第二SiGe层和顶硅层,其中,多孔硅层由单晶硅层通过多孔化工艺得到,并在第二晶圆的表面形成氧化层后将氧化层键合至顶硅层上,然后将多孔硅层去除并剥离第一SiGe层以及第一衬底,并去除留下的第二SiGe层,从而将第一晶圆上的顶硅层转移到第二晶圆表面的氧化层之上,形成SOI晶圆结构。通过利用多孔硅层作为剥离牺牲层并结合双层SiGe层的应力调控来剥离第一晶圆,能够有效平衡多孔硅层的氧化速率并缓解膨胀应力,实现多孔硅层的可控氧化与无缺陷剥离,并能够有效改善顶硅层的平整度和晶体质量,从而提高了SOI晶圆结构的质量。
天眼查资料显示,广州增芯科技有限公司,成立于2021年,位于广州市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本727500万人民币。通过天眼查大数据分析,广州增芯科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目43次,财产线索方面有商标信息53条,专利信息157条,此外企业还拥有行政许可180个。
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